Gün öýjükleri

Gün öýjükleri kristal kremnine we amorf kremnine bölünýär, olaryň arasynda kristal kremniý öýjükleri monokristally öýjüklere we polikristally öýjüklere bölünip bilner;monokristally kremniniň netijeliligi kristal kremniniňkiden tapawutlanýar.

Klassifikasiýa:

Hytaýda giňden ulanylýan gün kristal kremniy öýjüklerini aşakdakylara bölmek bolar:

Cryeke kristal 125 * 125

Leeke kristal 156 * 156

Polikristally 156 * 156

Cryeke kristal 150 * 150

Cryeke kristal 103 * 103

Polikristally 125 * 125

Önümçilik prosesi:

Gün öýjükleriniň önümçilik prosesi kremniý wafli barlagyna - ýerüsti dokma we duzlama - diffuziýa çatrygy - defosforizasiýa kremniniň aýnasy - plazma çişmegi we duzlamak - şöhlelenmä garşy örtük - ekrany çap etmek - Çalt sinterlemek we ş.m. Jikme-jiklikler aşakdakylar:

1. Silikon wafli barlamak

Silikon wafli gün öýjükleriniň göterijisidir we kremniý wafli gün öýjükleriniň öwrüliş netijeliligini gönüden-göni kesgitleýär.Şonuň üçin gelýän kremniý wafli barlamaly.Bu amal, esasan, kremniý wafli käbir tehniki parametrlerini onlaýn ölçemek üçin ulanylýar, bu parametrler esasan wafli üstündäki deňsizligi, azlyk göterijiniň ömri, garşylyk, P / N görnüşi we mikrokratlar we ş.m. öz içine alýar Bu enjamlar topary awtomatiki ýüklemek we düşürmek ýaly böleklere bölünýär. , kremniý wafli geçirmek, ulgam integrasiýa bölegi we dört kesgitleýiş moduly.Olaryň arasynda fotowoltaik kremniý wafli detektory, kremniniň wafli ýüzüniň deňsizligini kesgitleýär we şol bir wagtyň özünde kremniniň wafli ululygy we diagonaly ýaly daşky parametrleri kesgitleýär;mikro-döwülişi kesgitlemek moduly, kremniniň wafliniň içki mikro-çatryklaryny kesgitlemek üçin ulanylýar;Mundan başga-da, iki sany kesgitleýiş moduly bar, onlaýn synag modullaryndan biri esasan kremniý wafli we kremniý wafli görnüşleriniň köp garşylygyny barlamak üçin ulanylýar, beýleki modul bolsa kremniý wafli azlyk göterijiniň ömrüni kesgitlemek üçin ulanylýar.Azlyk göterijiniň ömri we garşylygy kesgitlenmezden ozal, kremniniň wafli diagonaly we mikro-çatryklaryny anyklamaly we zeper ýeten kremniý wafli awtomatiki usulda aýrylmaly.Silikon wafli gözden geçiriş enjamlary wafli awtomatiki ýükläp we düşürip biler we kwalifikasiýaly önümleri belli bir ýagdaýda ýerleşdirip biler, şeýlelik bilen gözlegiň takyklygyny we netijeliligini ýokarlandyrar.

2. faceüzü teksturaly

Monokristally kremniniň gurluşyny taýýarlamak, kremniniň anizotrop görnüşini ulanyp, kremniniň her inedördül santimetriniň üstünde millionlarça tetraedral piramidalary, ýagny piramida gurluşlaryny emele getirmekdir.Waka ýagtylygynyň ýer ýüzünde köp şöhlelenmegi we döwülmegi sebäpli ýagtylygyň siňdirilmegi ýokarlanýar we batareýanyň gysga utgaşdyryjy tok we öwrüliş netijeliligi ýokarlanýar.Silikonyň anizotrop eritmesi adatça gyzgyn aşgar erginidir.Bar bolan aşgarlar natriý gidroksid, kaliý gidroksidi, litiý gidroksidi we etilenediamin.Süýt kremniniň köp bölegi, takmynan 1% konsentrasiýasy bolan natriý gidroksidiň arzan erginli erginini ulanmak arkaly taýýarlanýar we gyzgynlyk temperaturasy 70-85 ° C.Birmeňzeş süýt almak üçin, kremniniň poslamagyny çaltlaşdyrmak üçin çylşyrymly serişde hökmünde etanol we izopropanol ýaly spirtler goşulmalydyr.Süýt taýýarlanmanka, kremniý wafli deslapky ýerüsti çişirilmelidir we takmynan 20-25 mkm gidroksidi ýa-da kislotaly eritme ergini bilen çalynmalydyr.Süýt çykarylandan soň umumy himiki arassalama amala aşyrylýar.Surfaceerüsti taýýarlanan kremniý wafli hapalanmagyň öňüni almak üçin uzak wagtlap suwda saklanmaly däldir we mümkin boldugyça gysga wagtda ýaýradylmalydyr.

3. Diffuziýa düwün

Gün öýjükleri ýeňil energiýanyň elektrik energiýasyna öwrülmegini amala aşyrmak üçin uly meýdany PN birleşmesine mätäç, diffuziýa peç bolsa gün öýjükleriniň PN birikmesini öndürmek üçin ýörite enjamdyr.Turbaly diffuziýa peç esasan dört bölekden durýar: kwars gämisiniň ýokarky we aşaky bölekleri, gaz çykaryjy gaz kamerasy, peç korpusynyň bölegi we gaz kabinetiniň bölegi.Diffuziýa, adatça, fosfor oksiklorid suwuk çeşmesini diffuziýa çeşmesi hökmünde ulanýar.P görnüşli kremniý wafli turba diffuziýa peçiniň kwars gapda goýuň we 850-900 gradus ýokary temperaturada kwars konteýnerine fosfor oksikloridini getirmek üçin azot ulanyň.Fosfor oksiklorid fosfor almak üçin kremniý wafli bilen reaksiýa berýär.atom.Belli bir wagtdan soň fosfor atomlary daş-töwereginden kremniý wafliniň üst gatlagyna girýär we kremniý atomlarynyň arasyndaky boşluklardan kremniý wafline aralaşyp, N görnüşli ýarymgeçiriji bilen P- arasynda interfeýs emele getirýär. ýarymgeçirijini ýazyň, ýagny PN çatrygy.Bu usul bilen öndürilen PN çatrygy gowy birmeňzeşlige, list garşylygyň birmeňzeş bolmazlygy 10% -den az we azlyk göterijiniň ömri 10m-dan uly bolup biler.PN çatrygynyň öndürilmegi, gün öýjükleriniň önümçiliginde iň esasy we möhüm prosesdir.PN birleşmesiniň emele gelmegi sebäpli, elektronlar we deşikler akandan soň öňki ýerlerine gaýdyp gelmeýärler, şonuň üçin tok emele gelýär we tok göni tok bolan sim bilen çekilýär.

4. Deposforilýasiýa silikat aýna

Bu amal gün öýjükleriniň önümçilik prosesinde ulanylýar.Himiki usulda kremniý wafli, diffuziýa ulgamyny aýyrmak üçin ereýän çylşyrymly birleşme geksafluorosil turşusyny emele getirmek üçin himiki reaksiýa öndürmek üçin gidroflorik kislotanyň erginine çümdürilýär.Çatrykdan soň kremniniň wafliniň üstünde emele gelen fosfosilikat aýnanyň bir gatlagy.Diffuziýa prosesinde POCL3 O2 bilen reaksiýa berip, kremniniň wafliniň üstünde goýlan P2O5 emele getirýär.P2O5 Si bilen reaksiýa berip, SiO2 we fosfor atomlaryny döredýär, Şeýlelik bilen, fosfosilikat aýna diýilýän kremniniň wafli üstünde fosfor elementlerini öz içine alýan SiO2 gatlagy emele gelýär.Fosforly silikat aýnany aýyrmak üçin enjamlar, esasan, esasy bedenden, arassalaýjy bakdan, sero hereketlendiriji ulgamdan, mehaniki goldan, elektrik dolandyryş ulgamyndan we awtomatiki kislotany paýlaýyş ulgamyndan durýar.Esasy güýç çeşmeleri gidroflor kislotasy, azot, gysylan howa, arassa suw, ýylylyk çykaryjy ýel we galyndy suwlardyr.Gidroflor kislotasy kremnini eredýär, sebäbi gidroflor kislotasy kremniý bilen üýtgäp durýan kremniý tetraflorid gazyny emele getirýär.Gidroflor kislotasy aşa köp bolsa, reaksiýanyň netijesinde öndürilen kremniý tetraflorid gidroflor kislotasy bilen hasam täsir edip, ereýän toplum, geksafluorosil turşusyny emele getirer.

5. Plazma ýokaşmagy

Diffuziýa prosesinde, arka-arka diffuziýa kabul edilse-de, kremniniň wafli gyralaryny goşmak bilen fosfor hökmany suratda ähli ýüzlere ýaýradylýar.PN çatrygynyň öň tarapynda toplanan fotogenerirlenen elektronlar, fosforyň PN çatrygynyň arka tarapyna ýaýran gyrasy meýdanyndan akyp, gysga zynjyryň döremegine sebäp bolar.Şonuň üçin, öýjügiň gyrasyndaky PN birikmesini aýyrmak üçin gün öýjüginiň töweregindäki dopirlenen kremnini çekmeli.Bu amal, adatça, plazmany ýok etmek usullaryndan peýdalanylýar.Plazma dökülmesi pes basyş ýagdaýynda, CF4 reaktiw gazyň esasy molekulalary ionlaşdyrma we plazma emele getirmek üçin radio ýygylyk güýji bilen tolgunýarlar.Plazma zarýadly elektronlardan we ionlardan durýar.Elektronlaryň täsiri astynda reaksiýa kamerasyndaky gaz energiýa siňdirip, ionlara öwrülmekden başga-da köp sanly işjeň topar döredip biler.Işjeň reaktiw toparlar diffuziýa ýa-da elektrik meýdanynyň täsiri astynda SiO2-iň ýüzüne ýetýärler, şol ýerde çyzylan materialyň üstünde himiki reaksiýa döredýärler we materialyň üstünden aýrylýan üýtgäp durýan reaksiýa önümlerini emele getirýärler. boşadylýar we vakuum ulgamy tarapyndan boşlukdan çykarylýar.

6. şöhlelenmä garşy örtük

Jaýlanan kremniniň ýüzüniň şöhlelenmesi 35% -dir.Surfaceerüsti şöhlelenmäni azaltmak we öýjügiň öwrüliş netijeliligini ýokarlandyrmak üçin kremniý nitridiň şöhlelendirme garşy filminiň bir gatlagyny goýmaly.Senagat önümçiliginde PECVD enjamlary köplenç şöhlelendirme garşy filmleri taýýarlamak üçin ulanylýar.PECVD plazmany güýçlendirilen himiki bug çökdürmesi.Tehniki ýörelgesi, pes temperaturaly plazmany energiýa çeşmesi hökmünde ulanmak, nusga pes basyş astynda ýalpyldawuk akymyň katodyna ýerleşdirilýär, ýalpyldawuk akym nusgany öňünden kesgitlenen temperaturada gyzdyrmak üçin ulanylýar, soň bolsa degişli mukdarda; reaktiw gazlar SiH4 we NH3 girizilýär.Birnäçe himiki reaksiýalardan we plazma reaksiýalaryndan soň, nusganyň üstünde gaty berk film, ýagny kremniý nitrid filmi emele gelýär.Umuman alanyňda, bu plazma bilen güýçlendirilen himiki buglary çökdürmek usuly bilen goýlan filmiň galyňlygy takmynan 70 nm.Bu galyňlykdaky filmler optiki işleýär.Inçe film päsgelçilik prinsipini ulanyp, ýagtylygyň şöhlelenmesi ep-esli peselip biler, batareýanyň gysga utgaşmasy we çykarylyşy ep-esli ýokarlanar we netijeliligi hem ep-esli ýokarlanar.

7. ekrany çap etmek

Gün öýjügi dokma, diffuziýa we PECVD proseslerinden geçensoň, yşyklandyryş astynda tok döredip bilýän PN birleşmesi emele geldi.Öndürilen toky eksport etmek üçin batareýanyň ýüzünde polo positiveitel we otrisatel elektrodlar etmeli.Elektrodlary ýasamagyň köp usuly bar we gün öýjükli elektrodlary öndürmek üçin iň köp ýaýran önümçilik prosesi.Ekrany çap etmek, nagyş arkaly substratda öňünden kesgitlenen nagşy çap etmekdir.Enjam üç bölekden ybarat: batareýanyň arka tarapynda kümüş-alýumin pastasy, batareýanyň arka tarapynda alýumin pastasy çap etmek we batareýanyň öň tarapynda kümüş pasta çap etmek.Işleýiş ýörelgesi: süýümiň içine girmek üçin ekranyň nagşynyň toruny ulanyň, skripka bilen ekranyň bölek bölegine belli bir basyş ediň we şol bir wagtyň özünde ekranyň beýleki ujuna tarap hereket ediň.Syýa grafiki bölegiň meshinden gysylanda gysgyç tarapyndan substrata gysylýar.Goýmanyň ýelmeşýän täsiri sebäpli, yz belli bir aralykda kesgitlenýär we gysgyç elmydama ekranyň çap plastinkasy we substrat bilen çyzykly aragatnaşykda bolýar we aragatnaşyk liniýasy gysgyçyň hereketi bilen hereket edýär. Çap

8. çalt sinterlemek

Ekranda çap edilen kremniý wafli göni ulanyp bolmaýar.Organiki rezin baglaýjyny ýakmak üçin, aýnanyň täsiri sebäpli kremniniň wafli bilen berk ýapyşan arassa kümüş elektrodlaryny galdyryp, çalt peçde süzmeli.Kümüş elektrodyň we kristal kremniniň temperaturasy ewtektiki temperatura ýetende, kristal kremniy atomlary belli bir mukdarda eredilen kümüş elektrod materialyna birleşdirilýär we şeýlelik bilen ýokarky we aşaky elektrodlaryň ohmik kontaktyny emele getirýär we açyk zynjyry gowulandyrýar. öýjügiň naprýa .eniýesi we doldurma faktory.Esasy parametr, öýjügiň öwrüliş netijeliligini ýokarlandyrmak üçin garşylyk aýratynlyklaryna eýe bolmakdyr.

Süzgüçli peç üç basgançaga bölünýär: sinterden öň, süzmek we sowatmak.Sinterden öňki tapgyryň maksady polimer baglaýjyny çüýremek we ýakmak, bu döwürde temperatura haýal ýokarlanýar;süzgüç döwründe süzülen bedende dürli fiziki we himiki reaksiýalar gutarýar we garşylykly film gurluşyny emele getirýär we hakykatdanam garşylyk görkezýär., bu döwürde temperatura iň ýokary derejä ýetýär;sowadyş we sowadyş döwründe aýna sowadylýar, gatylaşdyrylýar we berkleşýär, şonuň üçin garşylykly film gurluşy substrata berk ýapyşýar.

9. Daşky enjamlar

Öýjük öndürmek prosesinde elektrik üpjünçiligi, kuwwat, suw üpjünçiligi, zeýkeş, HVAC, wakuum we ýörite bug ýaly periferiýa desgalary hem zerurdyr.Fireangyndan goramak we daşky gurşawy goramak enjamlary hem howpsuzlygy we durnukly ösüşi üpjün etmek üçin aýratyn möhümdir.Annualyllyk 50MW öndürijilikli gün öýjük önümçilik liniýasy üçin diňe prosesiň we elektrik enjamlarynyň sarp edilişi 1800KW töweregi.Arassa suwuň mukdary sagatda takmynan 15 tonna, suwuň hil talaplary Hytaýyň elektron derejeli suw GB / T11446.1-1997 EW-1 tehniki standartyna laýyk gelýär.Amaly sowadyjy suwuň mukdary hem sagatda 15 tonna, suwuň hilindäki bölejikleriň ululygy 10 mikrondan köp bolmaly däl, suw üpjünçiliginiň temperaturasy 15-20 ° C bolmaly.Wakuum gaz çykaryş mukdary takmynan 300M3 / H.Şol bir wagtyň özünde, takmynan 20 kub metr azot saklaýyş baklary we 10 kub metr kislorod saklaýyş baklary zerur.Silan ýaly ýörite gazlaryň howpsuzlyk faktorlaryny göz öňünde tutup, önümçiligiň howpsuzlygyny doly üpjün etmek üçin ýörite gaz otagyny döretmeli.Mundan başga-da, silan ýangyç diňleri we lagym arassalaýyş stansiýalary öýjük öndürmek üçin zerur desgalardyr.